Дополнительные направления 3D монтажа.
Согласно последним трендам развития технологий 3D микросборок, использование новейших методик корпусирования и интеграции позволяет производить интегральные микросхемы с уменьшенными габаритными размерами, меньшей себестоимостью, низким энергопотреблением, при этом более высокой производительности, качества и надежности.
Реализация устройств со сквозными переходными отверстиями в кремнии (TSV - Through-Silicon Vias) является одним из ключевых направлений развития сверхплотных, высокоинтегрированных ИС. Благодаря принципу вертикальной сборки кристаллов, 3D-интеграция предоставляет возможность продолжать достижение очередных уровней производительности за счет принципиально другого технологического подхода.
Дополнительные направления 3D монтажа:
| Описание | Размер контактного столба | Материал столба | Материал кристалл / подложка |
|---|---|---|---|
| Сборка фотоприемных матриц со структурой сверхплотного массива бампов малого размера, как правило, из напыленного индия. | 5 – 30 мкм (шаг 20 мкм) | Индий (In) | Кремний/кремний, Кремний / Арсенид галлия Карбид кремния / Арсенид галлия |
| Сборка однородных структур, основанных на кремнии с контактами под шариковые контакты. | 60 – 750 мкм (шаг от 100 мкм) | SAC 105 (305) сплава Олово-Серебро-Медь | Кремний / кремний |
| Сборка разнородных структур с применением стандартных шариковых припойных шариков. | 60 – 750 мкм | SAC 105 (305) сплава Олово-Серебро-Медь | Стеклотекстолит / Кремний, AsGa Роджерс / Кремний, Полиимид / Кремний, Алюмооксидные платы / Арсенид галлия |
| >Высокотемпературная сборка структур ответственного применения. | 60-150 мкм | AuSn 80/20 золото-олово | Алюмооксидные платы / Арсенид галлия |
