Зеленоградский инновационно-технологический центр
Дополнительные направления 3D монтажа.

Дополнительные направления 3D монтажа.

Согласно последним трендам развития технологий 3D микросборок, использование новейших методик корпусирования и интеграции позволяет производить интегральные микросхемы с уменьшенными габаритными размерами, меньшей себестоимостью, низким энергопотреблением, при этом более высокой производительности, качества и надежности.

Реализация устройств со сквозными переходными отверстиями в кремнии (TSV - Through-Silicon Vias) является одним из ключевых направлений развития сверхплотных, высокоинтегрированных ИС. Благодаря принципу вертикальной сборки кристаллов, 3D-интеграция предоставляет возможность продолжать достижение очередных уровней производительности за счет принципиально другого технологического подхода.

Дополнительные направления 3D монтажа:

Описание Размер контактного столба Материал столба Материал кристалл / подложка
Сборка фотоприемных матриц со структурой сверхплотного массива бампов малого размера, как правило, из напыленного индия. 5 – 30 мкм (шаг 20 мкм) Индий (In) Кремний/кремний, Кремний / Арсенид галлия Карбид кремния / Арсенид галлия
Сборка однородных структур, основанных на кремнии с контактами под шариковые контакты. 60 – 750 мкм (шаг от 100 мкм) SAC 105 (305) сплава Олово-Серебро-Медь Кремний / кремний
Сборка разнородных структур с применением стандартных шариковых припойных шариков. 60 – 750 мкм SAC 105 (305) сплава Олово-Серебро-Медь Стеклотекстолит / Кремний, AsGa Роджерс / Кремний, Полиимид / Кремний, Алюмооксидные платы / Арсенид галлия
>Высокотемпературная сборка структур ответственного применения. 60-150 мкм AuSn 80/20 золото-олово Алюмооксидные платы / Арсенид галлия